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浪涌電流沖擊試驗(yàn)故障分析解決方案

更新時(shí)間:2024-05-16      點(diǎn)擊次數(shù):1837

為避免剩余電流保護(hù)器(以下簡稱RCD)在配電線路中的誤動(dòng)作,RCD需要經(jīng)過EMC試驗(yàn),其中EMC試驗(yàn)條款里包含3000A浪涌電流對(duì)RCD沖擊的性能試驗(yàn)。標(biāo)準(zhǔn)GB16917.1-2014條款9.19.2要求的3000A浪涌電流沖擊試驗(yàn)項(xiàng)目,其浪涌電流波形要求:①峰值電流3000A(1+10%);②前沿時(shí)間8(1±20%)us;③至半值時(shí)間20(1±20%)us。8/20us浪涌電流發(fā)生器對(duì)RCD任選一極施加10次浪涌電流,每施加兩次變換浪涌電流極性,每間隔30s施加一次浪涌電流。

針對(duì)一般型RCD,標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定3000A浪涌電流沖擊試驗(yàn)中可以脫扣,在任何一次脫扣以后應(yīng)重新合閘試品RCD;浪涌電流試驗(yàn)后,試品RCD突加I△n剩余電流時(shí)應(yīng)能脫扣,且動(dòng)作時(shí)間符合標(biāo)準(zhǔn)要求。目前各地監(jiān)督局抽檢市場上N極直通的RCD產(chǎn)品進(jìn)行浪涌電流沖擊試驗(yàn)時(shí),若試品RCD脫扣,此時(shí)試品RCD內(nèi)部會(huì)發(fā)出類似機(jī)構(gòu)碰撞的噪音且伴隨著冒煙的現(xiàn)象。拆開試品RCD則發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部脫扣器線圈燒壞或可控硅炸開。這一現(xiàn)象并不能直接說明試品RCD自身存在質(zhì)量問題,也可能由試驗(yàn)設(shè)備或試驗(yàn)電路與設(shè)備不匹配引起的故障,本文針對(duì)3000A浪涌電流沖擊試驗(yàn)中試品RCD發(fā)生故障開展分析并提出改進(jìn)措施。

1、故障原因分析

1.1RCD保護(hù)原理

市場上電子1P+N剩余電流保護(hù)器的線路板有分立元器件搭建信號(hào)處理電路及專用漏電芯片兩種形式,如圖1所示其組成原理是類似的,總體上由基于零序電流互感器的信號(hào)檢測電路、基于可控硅的信號(hào)比較電路以及基于脫扣器線圈的執(zhí)行電路三個(gè)模塊構(gòu)成。

                                    圖11P+N型RCD保護(hù)原理

低壓配電網(wǎng)相線與零線穿過零序電流互感器,以檢測被保護(hù)線路負(fù)載電流產(chǎn)生的磁場相量和。理想正常情況各相電流處于平衡狀態(tài),由基爾霍夫電流定理可知,

浪涌電流沖擊試驗(yàn)故障分析解決方案

此時(shí)被保護(hù)線路在零序電流互感器中產(chǎn)生的磁場相量和為零,即

浪涌電流沖擊試驗(yàn)故障分析解決方案

零序電流互感器的二次側(cè)繞組無感應(yīng)電壓輸出,RCD負(fù)載端電壓經(jīng)過全橋整流之后加載在可控硅陽,由于此時(shí)可控硅未被觸發(fā)保持截止?fàn)顟B(tài),因此流過脫扣器線圈TR的電流很小,產(chǎn)生的電磁吸力幾乎忽略不計(jì),RCD保持合閘狀態(tài)。當(dāng)被保護(hù)線路存在接地故障或有人觸電時(shí),由于剩余電流的存在,使得通過零序電流互感器一次側(cè)的各相電流矢量和不再為零,此時(shí)二次繞組有感應(yīng)電壓輸出,且該感應(yīng)電壓正比于剩余電流值。當(dāng)剩余電流值達(dá)到RCD動(dòng)作閾值時(shí),漏電流判別電路輸出高電平觸發(fā)可控硅,此時(shí)流過脫扣器線圈TR的電流產(chǎn)生的電磁吸力帶動(dòng)鐵芯沖擊鎖扣,使得自由脫扣機(jī)構(gòu)QF跳閘以切斷電源,起到漏電保護(hù)作用。

1.2浪涌電流沖擊試驗(yàn)接線

由圖1所示為RCD做3000A浪涌電流沖擊試驗(yàn)的接線原理圖,試驗(yàn)接線圖如圖1所示。其中電網(wǎng)電壓經(jīng)過濾波器接到試品RCD上,試驗(yàn)站或公司檢測中心一般用隔離變壓器隔離RCD電源與沖擊電流發(fā)生器電源。1P+N型電子式剩余電流保護(hù)器RCD處于分閘狀態(tài),用萬用表測量試品RCD負(fù)載端L極與N極之間的電壓為0V;沖擊電流發(fā)生器接入試驗(yàn)電路,RCD處于分閘狀態(tài),閉合電源開關(guān),用萬用表測量試品RCD負(fù)載端L極與N極之間存在220V交流電壓;沖擊電流發(fā)生器不接入試驗(yàn)電路,閉合電源開關(guān),用萬用表測量試品RCD負(fù)載端L極與N極之間的電壓為0V。由此可以確定試品RCD斷開時(shí)負(fù)載端存在220V交流電壓,是由沖擊電流發(fā)生器的串接引起的。

                                  圖2浪涌電流沖擊試驗(yàn)接線圖

1.3浪涌電流沖擊試驗(yàn)故障原因

由圖1所示1P+N型RCD保護(hù)原理可知,RCD動(dòng)作時(shí)其線路板等效原理圖如圖3所示,電流回路由帶鐵芯脫扣器線圈、整流橋及可控硅SCR組成,此時(shí)的可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)。

                                       圖3RCD動(dòng)作等效原理圖

可控硅是剩余電流保護(hù)器線路板中的關(guān)鍵元器件,其主要參數(shù)包含斷態(tài)可重復(fù)峰值電壓及焦耳積分值I2t,當(dāng)RCD正常合閘時(shí)斷態(tài)可重復(fù)峰值電壓參數(shù)對(duì)可控硅的可靠性起關(guān)鍵作用;當(dāng)RCD動(dòng)作瞬間焦耳積分值I2t對(duì)可控硅的可靠性起關(guān)鍵作用,常用的可控硅型號(hào)焦耳積分值I2t參數(shù)如表1所示。輕松理解漏電斷路器中的可控硅

對(duì)于1P+N型RCD,其脫扣器線圈阻值通常在40~80Ω之間,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)范圍其電壓值通常在220V~250V之間,由歐姆定律可以估算出流過可控硅SCR的電流平均值約為5A,若RCD瞬時(shí)分閘且分閘之后負(fù)載端沒有電壓,那么10ms內(nèi)的焦耳積分值為0.25,符合表1所列可控硅型號(hào)的參數(shù)要求。但是對(duì)于圖2所示的浪涌電流發(fā)生器串接在RCD的L極上,即使RCD分閘之后其負(fù)載端仍存在220V交流電壓,使得可控硅SCR一直有5A電流流過,一旦焦耳積分值大于表1參數(shù)要求,則可控硅SCR將會(huì)炸裂失效。不僅如此,脫扣器線圈同樣一直有5A電流流過,由于RCD中的脫扣器線圈屬于短時(shí)工作制,通過5A電流的時(shí)間稍長,根據(jù)焦耳定律線圈產(chǎn)生的發(fā)熱量就會(huì)燒毀線圈自身。同樣的,對(duì)于3P+N型電子式剩余電流保護(hù)器,做浪涌電流沖擊試驗(yàn)時(shí)同樣存在上述現(xiàn)象。

實(shí)際使用環(huán)境下,若由于浪涌電流的沖擊導(dǎo)致RCD脫扣后,其負(fù)載端不會(huì)存在電源電壓,也就不會(huì)出現(xiàn)本文所述的失效現(xiàn)象。因此即使在浪涌電流沖擊試驗(yàn)過程中,電子式RCD試品功能失效,也不能判定試品不合格,因?yàn)槔擞繙y試的試驗(yàn)方法并不符合實(shí)際應(yīng)用情況。

2、浪涌電流沖擊試驗(yàn)改進(jìn)

綜上所述,在3000A浪涌電流沖擊試驗(yàn)中,N直通型電子式RCD如1P+N或者3P+N產(chǎn)品會(huì)出現(xiàn)脫扣后燒壞的現(xiàn)象,由于標(biāo)準(zhǔn)GB16917.1-2014相應(yīng)條款允許試品RCD在浪涌電流沖擊試驗(yàn)過程中脫扣,而對(duì)于N直通型RCD脫扣之后負(fù)載端仍然存在電壓,若以此造成的脫扣器線圈或可控硅燒毀來判定試品質(zhì)量不合格并不合適。因此需要采取一定的措施,既能驗(yàn)證試品RCD抗浪涌電流沖擊的能力,又能避免試品RCD的損壞,可采取下述三種方法:

1)試驗(yàn)時(shí)若試品RCD脫扣,應(yīng)立即斷開試品的電源電壓,再次試驗(yàn)時(shí)恢復(fù)試品電源電壓即可,目前某些試驗(yàn)站已經(jīng)采用這種方案。該方案簡單經(jīng)濟(jì),但由于切斷電源電壓是人工操作,不能保證操作時(shí)間的一致性,而且存在人工不及時(shí)操作對(duì)試品RCD的累計(jì)損傷,可能會(huì)對(duì)試品RCD的質(zhì)量產(chǎn)生不利影響。在此基礎(chǔ)上理想的方法是單獨(dú)設(shè)計(jì)一種針對(duì)N直通型RCD的浪涌電流沖擊試驗(yàn)裝置,當(dāng)試品RCD脫扣時(shí)由氣動(dòng)裝置切斷電源試品RCD的電源;間隔一定時(shí)間后合閘試品RCD后再次接通電源。

2)改進(jìn)浪涌電流發(fā)生器,使得該設(shè)備產(chǎn)生8/20us浪涌電流后,在30ms~40ms范圍內(nèi)斷開浪涌電流發(fā)生器串接在試品RCD上的線路,避免電源經(jīng)過設(shè)備線路而連通到試品RCD的負(fù)載端,一定時(shí)間如1s后恢復(fù)供電即可。

3)由1P+N型RCD保護(hù)原理可知,脫扣瞬間流過可控硅SCR的電流平均值約為5A,大于一般RCD的剩余電流動(dòng)作整定值,利用該特點(diǎn)來改進(jìn)浪涌電流發(fā)生器的試驗(yàn)電路。改進(jìn)后的浪涌電流沖擊試驗(yàn)電路原理如圖4所示,試品RCD的電源端N極線路上串聯(lián)一臺(tái)2P電磁式額定剩余動(dòng)作電流為30mA的RCD。在浪涌電流沖擊試驗(yàn)時(shí),若試品RCD脫扣,則N極上流過的5A電流對(duì)于2P電磁式RCD來說相當(dāng)于剩余電流,且該剩余電流遠(yuǎn)大于其30mA動(dòng)作電流整定值,此時(shí)2P電磁式RCD脫扣,從而斷開電源端的N極,使得試品RCD負(fù)載端不存在電源電壓,解決了試品RCD脫扣后燒壞的問題。




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