集成電路產(chǎn)品EMC測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試項(xiàng)目

集成電路產(chǎn)品EMC測(cè)試系統(tǒng)是嚴(yán)格按照IEC 61967和IEC 62132系列進(jìn)行設(shè)計(jì)，整套系統(tǒng)的功能和性能不僅能夠滿足上述兩大類標(biāo)準(zhǔn)要求的測(cè)試項(xiàng)目。而且在系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)具有創(chuàng)新性、實(shí)踐可行性，滿足各類集成電路模塊、各類存儲(chǔ)芯片、各類電源管理芯片、各類接口芯片、各類時(shí)鐘芯片以及運(yùn)放等。

集成電路產(chǎn)品EMC測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試項(xiàng)目有：EMI類、EMS類。

EMI類：依據(jù)IEC 61967系列標(biāo)準(zhǔn)；

TEM小室法—輻射發(fā)射測(cè)試；

表面掃描法—輻射發(fā)射測(cè)試；

1Ω/150Ω直接耦合法—傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試；

EMS類（頻域）：依據(jù)IEC62132系列與IEC 62215系列標(biāo)準(zhǔn)；

TEM小室法—輻射敏感度測(cè)試；

大電流注入法—傳導(dǎo)敏感度測(cè)試；

直接功率注入法—傳導(dǎo)敏感度測(cè)試；

電快速脈沖群（EFT）注入法—傳導(dǎo)敏感度測(cè)試；

靜電放電（ESD）注入法—傳導(dǎo)敏感度測(cè)試；

TEM小室法—輻射發(fā)射測(cè)試的測(cè)試目的：在150kHz~1GHz內(nèi)測(cè)試IC輻射發(fā)射。適用于封裝/片內(nèi)去耦/引腳分布等的優(yōu)劣判別，測(cè)試要滿足以下條件。

測(cè)試布置：

使用TEM小室作為接收傳感器，然后使用EMI測(cè)試接收機(jī)/頻譜儀進(jìn)行測(cè)量。

測(cè)試方法：

為了保證重復(fù)性，環(huán)境溫度保持于18℃～28℃；測(cè)試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于極限線值6dB；在測(cè)試之前，集成電路應(yīng)使用適當(dāng)?shù)某绦蚣虞d并處于穩(wěn)定狀態(tài)；待測(cè)集成電路的供電特性應(yīng)符合集成電路制造商要求。

測(cè)試步驟：

第一步：按測(cè)試布置進(jìn)行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測(cè)試，此時(shí)待IC不上電；

第二步：待測(cè)IC上電，并進(jìn)行功能測(cè)試，需要對(duì)IC的軟件加載，并一直到其處于穩(wěn)定狀態(tài)；

第三步：對(duì)待測(cè)IC進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)量；

第四步：將待測(cè)IC與測(cè)試夾具旋轉(zhuǎn)90o，重復(fù)第三步測(cè)試，直至四個(gè)可能的方向均完成輻射發(fā)射測(cè)量。