雷擊浪涌抗擾度試驗在電子設(shè)備中的測試設(shè)計
更新時間：2025-11-13 點擊次數(shù)：325
雷擊發(fā)生時，當電子設(shè)備沿電源線或信號線傳輸時，強電流及其產(chǎn)生的電磁脈沖能夠通過傳導、感應、耦合等方式產(chǎn)生過電壓，形成雷擊浪涌。通常，閃電會感知暴露電源線上的高電壓，這不僅會直接傳輸?shù)皆O(shè)備，而且當電源線傳導時，電磁感應的浪涌會與周圍的信號線耦合。這種浪涌會對電子產(chǎn)品造成很大的損害，所以產(chǎn)品需要有一定的浪涌抗干擾能力。
雷擊浪涌抗擾度主要考察電氣和電子設(shè)備對開關(guān)和雷電瞬變過電壓引起的單極浪涌(沖擊)抗擾程度。
建立一個共同的基準來評估電氣和電子設(shè)備在浪涌中的性能。通常，實驗室測試是模擬雷擊干擾對設(shè)備的影響。浪涌是電流或電壓沿電源線或信號線傳播的快速升降。
電力系統(tǒng)開關(guān)瞬態(tài)：
(1)與開關(guān)器件(如晶閘管)相關(guān)的諧振現(xiàn)象；
(2)局部開關(guān)動作或負載變化較小的配電系統(tǒng)；
(3)電力系統(tǒng)的主要切換騷擾，如電容器的切換；
(4)設(shè)備組合對接地系統(tǒng)短路、電弧故障等各種系統(tǒng)故障。
(1)直擊雷，它擊中外部電路，注入的大電流通過接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生的電壓；
(2)附近耦合到設(shè)備組合接地系統(tǒng)的公共路徑時，附近直接對地放電的雷電電流產(chǎn)生感應電壓；
(3)間接雷(即云層之間或云層中的雷擊或附近物體的雷擊產(chǎn)生的電磁場)在建筑物內(nèi)和外導體上產(chǎn)生感應電壓和電流。
●LPZ0A區(qū)域：該區(qū)域內(nèi)的所有物體都可能遭到直接雷擊，導致所有雷電電流；區(qū)域內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。
●LPZ0B區(qū)域:區(qū)域內(nèi)的物體不能被與所選滾球半徑相對應的雷電電流直接雷擊，但區(qū)域內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。
●LPZ1區(qū):本區(qū)所有物體不能直接雷擊，流經(jīng)各種導體的電流比例不能直接雷擊LPZ0B面積較小；根據(jù)屏蔽措施，該區(qū)域的電磁場強度可能會衰減。
●LPZ2后續(xù)防雷區(qū)：當需要進一步降低電流和電磁場強度時，應增加后續(xù)防雷區(qū)，后續(xù)防雷區(qū)的要求應根據(jù)需要保護的環(huán)境區(qū)域選擇。
1.組合波發(fā)生器，耦合/解耦網(wǎng)絡(luò)等輔助設(shè)備。
2.組合波發(fā)生器分為10/700μs和1.2/50μs兩種，對應不同的端口類型。
3.分類
浪涌抗擾度試驗分為：
(1)浪涌電壓抗擾試驗(開路電壓)
(2)浪涌電流抗擾試驗(短路電流)
注：浪涌（Surge）抗干擾試驗模擬間接雷擊，不考慮直接雷擊或直接雷擊EUT絕緣能力耐高壓試驗。
(1)建議使用10/7000通信網(wǎng)絡(luò)和長距離信號電路端口μs沖擊波。常見的電子設(shè)備，如常見的電子設(shè)備，如RJ45，RS232，XDSL，RS485，安全攝像頭等。
(2)建議使用1個交直流電源端口和短距離信號電路端口1.2/50μs沖擊波。常見的電子設(shè)備，如常見的電子設(shè)備，如LED照明設(shè)備、基站等。
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